UJT (uni junction transistor) & BJT (bipolar junction transistor)

UJT  (uni junction transistor)

Transistor pertemuan tunggal / uni junction transistor atau yang biasa di singkat UJT merupakan sebuah komponen semikonduktor yang hanya mempunyai satu pertemuan.

UJT ini bertipe-n yang ditambahkan difusi bahan tipe-p di suatu tempat sepanjang batangan, 2N2646 adalah versi yang paling sering digunakan.

Cara kerja transistor UJT dialirkan tegangan positif di antara kedua basis(B1, B2). Ini menyebabkan penurunan tegangan disepanjang komponen. Ketika tegangan emitor dinaikkan 0,7V diatas tegangan difusi P (emitor), maka arus akan mengalir dari emitor ke basis. Karena basis disupply sangat ringan, arus tambahan menyebabkan berkurangnya resistansi basis di antara pertemuan emitor dan saluran B2. Dan akibatnya resistansi negatif pada saluran emitor. Inilah alasan mengapa UJT sangat berguna, terutama untuk sirkuit osilator sederhana.

UJT sering di gunakan dan sangat populer di kalangan orang-orang penggiat elektronika sekitar tahun 1970-an sampai awal tahun 1980 karena UJT memungkinkan pembuatan osilator sederhana yang dibuat hanya dengan satu komponen aktif. Dan pada era sekarang ini IC  lebih populer dibandingkan dengan UJT maka osilator seperti IC pewaktu 555 lebih sering digunakan.

Selain digunakan untuk pembuatan osilator relaksasi, salah satu penggunaan UJT yangtak kalah  penting adalah untuk menyulut tiristor (seperti SCR, TRIAC, dll)

BJT (bipolar junction transistor)

Transistor pertemuan dwikutub (BJT) adalah komponen transistor yang memiliki tiga-saluran yang terbuat dari bahan semikonduktor terkotori. Dinamai dwikutub karena operasinya menyertakan baik elektron maupun lubang elektron, berlawanan dengan transistor ekakutub seperti FET yang hanya menggunakan salah satu pembawa. Walaupun sebagian kecil dari arus transistor adalah pembawa mayoritas, hampir semua arus transistor adalah dikarenakan pembawa minoritas, sehingga BJT diklasifikasikan sebagai peranti pembawa-minoritas.

BJT terdiri dari tiga daerah semikonduktor yang berbeda pengotorannya, dan memiliki dua type yaitu NPN & PNP.

Transistor dwikutub diciptakan pada Desember 1947 di Bell Telephone Laboratories oleh John Bardeen dan Walter Brattaindibawah arahan William Shockley. Versi pertemuan diciptakan pada tahun 1948 Setelah menjadi peranti pilihan untuk berbagai rangkaian, sekarang penggunaannya telah banyak digantikan oleh FET, baik pada sirkuit digital ataupun sirkuit analog

BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti sirkuit diskrit, karena tersedia banyak jenis BJT, BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel. Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan kedua tipe transistor.

Daerah Kerja Transistor

Transistor merupakan komponen elektronika aktif yang mempunyai tiga terminal yang terbuat dari bahan semikonduktor (silikon atau germanium). Transistor bisa menjadi isolator atau konduktor.

Transistor ini sendiri juga di ambil dari sebuah akronim “Transfer Resistor” yang artinya suatu komponen yang nilai resistansi antara terminalnya dapat diatur.

Mode Operasi BJT

Gambar Kurva Hubungan V_CE, I_C dan I_B

Berdasarkan kurva di atas dapat kita simpulkan bahwa ada beberapa daerah kerja transistor. Diantaranya sebagai berikut :

Table.  Mode Operasi Transistor Bipolar

Mode	Junction Emitter-Base	Junction Collector-Base	Function
Aktif	Forward bias	Reverse bias	Normal Amplifier (Sering digunakan)
Cut-off	Reverse bias	Reverse bias	Open switch
Saturation	Forward bias	Forward bias	Close switch
Breakdown	Reverse bias	Forward bias	Low gain amplifier

● Daerah Aktif >> Transistor beroperasi sebagai penguat dan Ic = β.Ib

Daerah aktif merupakan daerah kerja transistor yang normal, yaitu ketika  arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE.

● Saturation   >>   Transistor "fully-ON", Ic = I(saturation)

Daerah saturasi adalah mulai dari VCE  = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon). Ini diakibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang membutuhkan tegangan yang cukup agar mampu mengalirkan elektron sama seperti dioda.  

● Cut-off   >>  Transistor menjadi "fully-OFF", Ic = 0

Daerah dimana Vce masih cukup kecil sehingga Arus IC = 0 atau IB = 0. Transistor dalam kondisi off

CARA KERJA DIODA SEBAGAI PENYEARAH SETENGAH GELOMBANG & GELOMBANG PENUH

A.      Penyearah setengah  gelombang

Cara kerja untuk penyearah setengah gelombang yaitu pada saat sinyal input berupa muatan positif maka dioda akan berbias maju sehingga arus (i) mengalir ke beban (RL), dan apa bila sinyal input berupa muatan negatip maka dioda akan berbias mundur sehingga tidak mengalir arus.

Resistansi dioda pada saat kondisi  bias maju adalah Rf, yang biasanya nilai Rf  lebih kecil dari pada RL. Dan pada saat kondisi dioda bias mundur resistansinya besar atau terkadang tidak terhigga, sehingga arus dioda tidak mengalir atau i = 0.

B.      Penyearah gelombang penuh

    

    Dua dioda yang sama-sama berfungsi sebagai penyearah setengah gelombang ini bekerja secara bergantian. Satu dioda menyearahkan muatan positif dari lilitan atas & kemudian bergantian dengan satu dioda lain untuk menyearahkan muatan positif dari lilitan bawah yang merupakan balikan fasa dari miuatan negatif sinyal input AC.